金融界 2025 年 4 月 25 日消息方道配资,国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基半导体蓝光激光器”的专利,公开号 CN119864717A,申请日期为 2025 年 1 月。
专利摘要显示,本发明提出了一种氮化镓基半导体蓝光激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,所述上波导层和上限制层之间设置有拓扑界面态层,所述拓扑界面态层具有击穿场强分布特性和电子亲和能分布特性。通过拓扑界面态层的特定击穿场强分布和电子亲和能分布共同协作,形成新的体边界能带,在界面处形成强的自旋中心,增强相邻界面态间耦合和电子能带结构的自旋分裂不对称性,增强自旋轨道力矩效应,缓解激光元件的压电极化和热应力失配,降低价带带阶,提升价带带阶均匀性,提升载流子注入有源层的均匀性,改善增益均匀性。
天眼查资料显示,安徽格恩半导体有限公司,成立于2021年,位于六安市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目4次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息465条,此外企业还拥有行政许可12个。
来源:金融界
发布于:北京市和兴网配资提示:文章来自网络,不代表本站观点。